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Lumentum APD 芯片是一種基于磷化銦 (InP) 的器件,設(shè)計(jì)用于高達(dá) 11.3 Gbps 的高性能電信接收器應(yīng)用。 通過提供 30 μm 孔徑的環(huán)形觸點(diǎn),通過中央有源區(qū)的頂部照明接收光信號(hào)。
P(陽極)和 N(陰極)觸點(diǎn)在有源區(qū)上施加反向電偏壓。 圓形 P 鍵合焊盤的直徑為 70 微米,適用于引線鍵合。
APD 適用于以 M3 和 M10 之間的倍增增益因子以高達(dá) 11.3 Gbps 的速度運(yùn)行。
性能通過包括 DC、CV 和 AC 測(cè)試測(cè)量的晶圓測(cè)試來檢查。
<1FIT 的可靠性源自超過 400 億個(gè)現(xiàn)場(chǎng)小時(shí)。
Telcordia ESD 等級(jí):min. 500 V型號(hào)。
擊穿電壓(在黑暗中,Id=10 µA)Vbr:-26…-32 V
暗電流(在黑暗中,Vbr * 0.9) Id9:50 毫安
3dB 帶寬,M=10(10 µW 入射 1550 nm,I=100 µA)BWM10 :6.0 GHz
3dB 帶寬,M=3(10 µW 入射 1550 nm,I=30 µA)BWM3:6.0 GHz
響應(yīng)度 (10 µW,1550 nm)R:1.0 A/W
在固定電壓下((VM3 和 VM10,Popt = 10µW,λ=1550 nm)1610 nm 時(shí)的電流比
)R1610/R1550:0.75
1300 nm 與 1550 nm 的響應(yīng)率比(在固定電壓下(VM3 和 VM10,Popt =10 µW, λ=1550 nm) 時(shí)的電流比)R1300/R1550:0.70
Vbr 溫度系數(shù)(-40 至 +85°C)dVbr/dT:0.040 …0.061 Vdeg-1
總電容(At Vbr * 0.9)C:0.22…0.25 pF
光過載(M3)Povld:-2 dBm
長(zhǎng)途網(wǎng)絡(luò)
單模數(shù)據(jù)通信和電信
10G PON
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