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ATN3580 系列衰減器芯片在高電阻率硅芯片上集成了薄膜電阻器,以實現(xiàn)衰減、緊密平坦度和高達 40 GHz 的回波損耗。該設(shè)計采用平衡 TEE 電阻結(jié)構(gòu),以確保寬帶寬性能。與傳統(tǒng)的厚膜印刷衰減器相比,薄膜技術(shù)提供了改進的功率處理能力。所有 ATN3580 衰減器芯片都指定了它們在 DC 下的衰減。此外,晶圓探針樣品測試進行到 40 GHz,以確保滿足平坦度規(guī)范。
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